EDO DRAM
EDO DRAM — память с расширенным выводом данных (Extended Data Output). За счет наличия дополнительных регистров для хранения данных увеличивается пропускная способность памяти. Это происходит благодаря тому, что в этих дополнительных регистрах информация может удерживаться даже в течение следующего запроса к микросхеме, поэтому следующий цикл обращения процессора к RAM может начинаться до того, как закончится предыдущий. Модули EDO RAM работают на 10-15 % быстрее, чем стандартные FPM DRAM. Особенно заметно преимущество EDO в пакетном режиме. Так как сами процессоры Pentium уже мало применяются, то и память EDO DRAM тоже устарела. Правда, сейчас SIMM-модули с памятью EDO иногда применяются в лазерных принтерах — там особое быстродействие не нужно.
BEDO RAM
Микросхемы BEDO DRAM (Burst EDO) являются разновидностью памяти EDO DRAM. Здесь выборка четырех операндов, требуемых для передачи, происходит автоматически. Как следствие, BEDO DRAM работает несколько быстрее, чем EDO, однако это преимущество не столь значительно, и BEDO DRAM не получила большого распространения.
VRAM
Память VRAM (Video RAM) может основываться на любой из перечисленных выше DRAM-архитектур. Помимо «обычного» механизма доступа у VRAM есть один или два специальных серийных порта.
VRAM часто упоминается как двух- или трехпортовая память. Серийные порты содержат регистры, которые могут хранить содержимое целого ряда. В данном типе памяти реализована возможность передачи данных с целого ряда массива памяти в регистр (или наоборот) за один цикл доступа. Затем данные могут быть считаны или записаны в регистр серийного доступа порциями любой длины. Поскольку регистр состоит из быстрых, статических ячеек, доступ к нему обычно в несколько раз быстрее, чем к массиву памяти. В большинстве типичных приложений VRAM используется в качестве буфера экранной памяти. Параллельный порт (стандартный интерфейс) используется процессором, а серийный порт используется для передачи данных о точках на дисплее.
SDRAM
SDRAM (Synchronous DRAM), пожалуй, наиболее популярный тип памяти. Основная особенность SDRAM заключается в том, что все операции в микросхемах
памяти синхронизированы с тактовой частотой центрального процессора, то есть память и процессор работают синхронно (рис. 6.1).
Рис. 6.1. Модуль памяти SDRAM
Технология SDRAM позволяет сократить время, затрачиваемое на выполнение команд и передачу данных, за счет исключения циклов ожидания. Причем, при значительно большей производительности, SDRAM стоит в несколько раз дешевле применяемых до этого микросхем EDO DRAM. Существуют модули со SDRAM (они называются DIMM-модулями и имеют 168 контактов), а память типа EDO/ BEDO/FPM DRAM в основном изготавливается в виде 72-контактных SIMM-модулей), предназначенных для работы на частотах 66, 100 и 133 МГц. Соответственно, память может удовлетворять спецификациям РС66, PC 100 или PC 133 (первая уже не используется). С момента появления Pentium III с внешней частотой 133 МГц SDRAM типа РС100 также постепенно отошла на второй план. Почти до конца 2000 года для высокопроизводительных компьютеров использовали сочетание Pentium Ш/133 MHz и РС133 SDRAM, но, когда в 2001-м начали набирать обороты процессоры Pentium 4 и AMD Athlon с частотами выше 1 ГГц, стало ясно, что SDRAM пора сойти со сцены. Впрочем, обладая довольно неплохим быстродействием и низкой ценой, модули SDRAM еше какое-то время сохранят достаточно прочные позиции, но в системах категории Hi-End пальму первенства они уже уступили.