|
Тактовая |
Рабочая |
Макси- |
Напряжение |
Макси- |
Процесс, |
Число |
Тип |
|
частота, |
частота |
мальная |
питания, В |
мальная |
мкм |
транзис- |
корпуса |
|
МГц |
кэш-памяти второго уровня, МГц |
температура, °С |
потребляемая мощность, Вт |
торов, млн. |
|||
|
533ЕВ |
1,65 |
14,0 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
533ЕВ |
1,65 |
14,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
533ЕВ |
1,65 |
14,0 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
533ЕВ |
1,65 |
14,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
2,00 |
30,8 |
0,25 |
9,5 |
БЕСС2 |
|||
|
550Е |
1,60 |
14,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
550Е |
1,60 |
14,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
550Е |
1,60 |
14,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
550Е |
1,60 |
14,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
2,00 |
34,5 |
0,25 |
9,5 |
БЕСС2 |
|||
|
600Е |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
600Е |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
600Е |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
600Е |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
600В |
2,05 |
34,5 |
0,25 |
9,5 |
БЕСС2 |
||
|
600ЕВ |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
600ЕВ |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
600ЕВ |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
600ЕВ |
1,65 |
15,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
1,65 |
17,0 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
17,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,65 |
17,0 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
17,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,65 |
17,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
17,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,65 |
17,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
17,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
17,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
17,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
18,3 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
18,3 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,65 |
18,3 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
18,3 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
18,3 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
18,3 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
19,1 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
19,1 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,65 |
19,1 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
19,1 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
19,1 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
19,1 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,7 |
19,1 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
19,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
19,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,65 |
19,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
Продолжение табл. 3.18
|
Тактовая |
Рабочая |
Макси- |
Напряжение |
Макси- |
Процесс, |
Число |
Тип |
|
частота, |
частота |
мальная |
питания, В |
мальная |
мкм |
транзис- |
корпуса |
|
МГц |
кэш-памяти второго уровня, МГц |
температура, °С |
потребляемая мощность, Вт |
торов, млн. |
|||
|
1,65 |
19,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
19,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
19,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
800ЕВ |
1,65 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
800ЕВ |
1,65 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
800ЕВ |
1,7 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
||
|
800ЕВ |
1,7 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
800ЕВ |
1,7 |
20,8 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
||
|
1,65 |
22,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
22,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
22,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
22,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
22,9 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
22,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
22,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
22,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,75 |
26,1 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
23,2 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,65 |
25,5 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1,65 |
24,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
24,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,7 |
25,5 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1,75 |
27,3 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|||
|
1000В |
1000 |
1,7 |
26,1 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|
|
1000В |
1000 |
1,7 |
26,1 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|
|
1000В |
1000 |
1,7 |
26,1 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|
|
1000 |
1000 |
1,7 |
26,1 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|
|
1000 |
1000 |
1,7 |
26,1 |
БЕСС2 |
|||
|
1000В |
1000 |
1,7 |
26,1 |
0,18 |
28,1 |
БЕСС2 |
|
|
1000В |
1000 |
1,75 |
29,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|
|
1000В |
1000 |
1,75 |
29,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|
|
1000В |
1000 |
1,75 |
29,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|
|
1000В |
1000 |
1,75 |
29,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|
|
1000В |
1000 |
1,7 |
29,0 |
0,18 |
28,1 |
РСРСД |
|
|
1133 |
1133 |
1,475 |
29,1 |
0,13 |
РСРСД2 |
||
|
1133 |
1133 |
1,475 |
29,1 |
0,13 |
РСРСД2 |
||
|
1133-Б |
1133 |
1,45 |
27,9 |
0,13 |
РСРСД2 |
||
|
1133-Б |
1133 |
1,45 |
27,9 |
0,13 |
РСРСД2 |
||
|
1200 |
1200 |
1,475 |
29,9 |
0,13 |
РСРСД2 |
||
|
1200 |
1200 |
1,475 |
29,9 |
0,13 |
РСРСД2 |
||
|
1266 |
1266 |
1,45 |
29,5 |
0,13 |
РСРСД2 |
Окончание табл. 3.18
|
Тактовая |
Рабочая |
Макси- |
Напряжение |
Макси- |
Процесс, |
Число |
Тип |
|
частота, |
частота |
мальная |
питания, В |
мальная |
мкм |
транзис- |
корпуса |
|
МГц |
кэш-памя- |
темпера- |
потре- |
торов, |
|||
|
ти второго |
тура, °С |
бляемая |
млн. |
||||
|
уровня, МГц |
мощность, |
||||||
|
Вт |
|||||||
|
1133 |
1133 |
б9 |
1,47Б |
29,9 |
Q,13 |
FCPGA2 |
|
|
14QQ |
1133 |
б9 |
1,4Б |
29,9 |
Q,13 |
FCPGA2 |
|
|
12QQ |
1200 |
б9 |
1,4Б |
29,9 |
Q,13 |
FCPGA2 |
SECC — Single Edge Contact Cartridge.