Реклама

Наш канал:

Скотт Мюлле- Модернизация и ремонт ПК стр.396

Поскольку транзисторы для каждого бита в микросхеме памяти размещены в узлах решетки, наиболее рационально адресовать каждый транзистор, используя номер столбца и строки. Сначала выбирается строка, затем столбец адреса и, наконец, пересылаются данные. Начальная установка строки и столбца адреса занимает определенное время, обычно называемое временем задержки или ожиданием. Время доступа для памяти равно времени задержки для выборки столбца и строки адреса плюс продолжительность цикла. Если длительность цикла памяти равна 7,5 нс (133 МГц), а длительность цикла процессора — 1 нс (1 ГГц), то процессор должен находиться в состоянии ожидания приблизительно 6 циклов — до 17-го цикла, т.е. до поступления данных. Таким образом, состояния ожидания замедляют работу процессора настолько, что он вполне может функционировать на частоте 133 МГц.

Эта проблема существовала на протяжении всей компьютерной эпохи. Для успешного взаимодействия процессора с более медленной основной памятью обычно требовалось несколько уровней высокоскоростной кэш-памяти. В табл. 6.3 показана зависимость между частотами системных плат и быстродействием различных типов основной памяти или используемых модулей оперативной памяти, а также их влияние на общую пропускную способность памяти.

Таблица 6.3. Модули памяти DRAM и стандарты/пропускная способность шин (прошлое, настоящее и будущее)

ns (нс) — наносекунды.

EDO — Extended Data Out (расширенные возможности вывода данных).

DIMM — Dual Inline Memory Module (модуль памяти с двухрядным расположением выводов).

DDR — Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных).

FPM — Fast Page Mode (быстрый постраничный режим).

SIMM — Single Inline Memory Module (модуль памяти с однорядным расположением выводов). RIMM — Rambus Inline Memory Module (модуль памяти стандарта Rambus).