Реклама

Наш канал:

Скотт Мюлле- Модернизация и ремонт ПК стр.402

Архитектура RDRAM также поддерживает множественные чередующиеся транзакции, одновременно выполняемые в отдельных временных областях. Следовательно, передача данных может быть осуществлена до завершения предыдущей передачи.

Рис. 6.4. Отношение между тактовым сигналом и циклами передачи данных памяти RDRAM

Не менее важно то, что память RDRAM потребляет мало энергии. Напряжение питания модулей памяти RIMM, как и устройств RDRAM, достигает только 2,5 В. Напряжение низковольтного сигнала изменяется от 1,0 до 1,8 В, т.е. перепад напряжений равен 0,8 В. Кроме того, RDRAM имеет четыре режима пониженного потребления энергии и может автоматически переходить в режим ожидания на завершающей стадии транзакции, что позволяет еще больше экономить потребляемую мощность.

Как упоминалось ранее, микросхемы RDRAM устанавливаются в модули RIMM (рис. 6.5), по размеру и форме подобные DIMM, но не взаимозаменяемые. Существуют модули памяти RIMM, объем которых достигает 1 Гбайт и более. Эти модули могут устанавливаться в системе по одному, поскольку каждый из них технически представляет собой сразу несколько банков памяти. Модули RIMM устанавливаются попарно только в том случае, если существующая системная плата поддерживает двухканальные модули RDRAM, а также если в системе применяются 16-разрядные модули RIMM.

Рис. 6.5. Модуль RIMM (184-контактный)

Контроллер памяти RDRAM с одним каналом Rambus позволяет установить не более трех модулей RIMM. Тем не менее в большинстве системных плат возможно использование только двух модулей на один канал, что позволяет избежать проблем с искажением сигнала.

Существующие модули памяти RIMM можно разделить по быстродействию на три основные группы, каждая из которых содержит три версии с различной шириной шины. Модули памяти 16-разрядных версий обычно используются в двухканальной среде, поэтому их следует устанавливать попарно, причем каждая пара модулей должна быть установлена в отдельный набор разъемов. Каждый набор разъемов RIMM на подобных платах является отдельным каналом. Модули памяти 32- и 64-разрядных версий включают в себя сразу несколько каналов, что позволяет устанавливать их отдельно, без необходимости подбора согласованных пар. Характеристики различных типов модулей RDRAM приведены в табл. 6.9.

Компания Intel сконцентрировала усилия на внедрении памяти Rambus, что, казалось, позволило бы достичь значительного успеха на рынке. К сожалению, задержки в выпуске соответствующих наборов микросхем, возникшие из-за технических сложностей конструкции памяти RDRAM, послужили причиной повышения стоимости модулей памяти RIMM в три или более раз по сравнению с модулями DIMM того же объема. Цена памяти RDRAM RIMM практически сравнялась с DDR SDRAM, однако Intel в своих продуктах теперь реализует поддержку исключительно памяти стандартов DDR и DDR2.