НЕКОММЕРЧЕСКОЕ ПАРТНЕРСТВО САМОРЕГУЛИРУЕМАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ «ДЕЛОВОЙ СОЮЗ ОЦЕНЩИКОВ»
ИНН 7720286797
КПП 770601001
Деятельность профессиональных членских организаций
Шевцова Ирина Анатольевна
Генеральный директор
ИНН 7720286797
КПП 770601001
Владельцы
Нет данных об учредителях
Уставный капитал
Нет данных
Связанные лица
Белов Сергей Вениаминович, ИП
Прибыль
-738 тыс ₽
Рентабельность продаж -10.6%
Рентабельность капитала -2.4%
+ 76
— 4
12 лет компания работает на рынке
+ 7
Компания ведет деятельность
+ 2
Рост продаж
+ 5
еще 3
+ 62
Коммерческая деятельность приносит убыток
Торги и госконтракты
Участник
17
#. # млн ₽
Выиграл
10
#.# млн ₽
Госконтракты
13
#.# тыс ₽
Основной заказчик:
Росагролизинг, АО
Стоимость
66.3 млн ₽
3098 место в категории Прочие услуги
Похожие по объему выручки
В отрасли (1177 место)тыс ₽
1175
1176
1177
1178
1179
20 528
Национальный Культурный Центр Украины в г. Москве
(Овсиенко О.)
20 510
Золотое Сечение, ООО
(Пастернак Т. Л.)
20 492
СРО «ДСО», НП
(Шевцова И. А.)
20 430
Эджайлконсалт, ООО
(Долгов Н. В.)
20 409
Стратегия, ООО
(Потапова В. С.)
Похожие по стоимости бизнеса
В отрасли (3098 место)тыс ₽
3096
3097
3098
3099
3100
1
СП, ООО
(Русаков В. Ю.)
1
Эксперт, ООО
(Кожина С. Б.)
< 1
СРО «ДСО», НП
(Шевцова И. А.)
< 1
Столичная Оценочная Компания, ООО
(Носачев А. В.)
-1
Мультиперевод, ООО
(Дамберг А. А.)
Краткая справка
СРО «ДСО», НП зарегистрирована по адресу 119180, г. Москва, ул. Большая Якиманка, д. 31, КВ.3 ЭТ. ПОМ. I КОМН. 22; 22А; 23; 23А; 24; 24А; 4. Генеральный директор организации НЕКОММЕРЧЕСКОЕ ПАРТНЕРСТВО САМОРЕГУЛИРУЕМАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ «ДЕЛОВОЙ СОЮЗ ОЦЕНЩИКОВ» Шевцова Ирина Анатольевна. Основным видом деятельности компании является Деятельность профессиональных членских организаций. Также СРО «ДСО», НП работает еще по 1 направлению.
Компания СРО «ДСО», НП принимала участие в 17 торгах из них выиграла 10. Основным заказчиком является Росагролизинг, АО. В судах организация выиграла 46% в качестве ответчика, проиграла 18% в качестве ответчика.
НЕКОММЕРЧЕСКОЕ ПАРТНЕРСТВО САМОРЕГУЛИРУЕМАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ «ДЕЛОВОЙ СОЮЗ ОЦЕНЩИКОВ» присвоен ИНН 7720286797, КПП 770601001, ОГРН 1107799001310, ОКПО 94161353
Действует с 18.01.2010
Ваш браузер устарел, возможны проблемы в работе с сайтом
Ваш браузер не содержит последних обновлений, необходимых для корректной работы портала. Настоятельно рекомендуем перейти на Яндекс Браузер
sbisru_CookieAgreement_text-1 sbis.ru, sbisru_CookieAgreement_text-2. sbisru_CookieAgreement_link
Обновить браузер
Обновить браузер
Возможности
Интеграция
О системе
Статистика
Контакты
CfDJ8HJyMSOWarhLkJBDZs2NT-FtQHvj9EkdMBV00YVFjxDTHoAh4Ree_dt6a8awfVUyZmm_alB7GJj7vtW6VotoAqChXATZuuoX151yWuN6Y69sRF4v_gMR_7JGAT67UV7uXuvk4e3ZsXFcfGdaSzFv464
Описание поисковой системы
энциклопедия поиска
ИНН
ОГРН
Санкционные списки
Поиск компаний
Руководитель организации
Судебные дела
Проверка аффилированности
Исполнительные производства
Реквизиты организации
Сведения о бенефициарах
Расчетный счет организации
Оценка кредитных рисков
Проверка блокировки расчетного счета
Численность сотрудников
Уставной капитал организации
Проверка на банкротство
Дата регистрации
Проверка контрагента по ИНН
КПП
ОКПО
Тендеры и госзакупки
Поиск клиентов (B2B)
Юридический адрес
Анализ финансового состояния
Учредители организации
Бухгалтерская отчетность
ОКТМО
ОКВЭД
Сравнение компаний
Проверка товарных знаков
Проверка лицензии
Выписка из ЕГРЮЛ
Анализ конкурентов
Сайт организации
ОКОПФ
Сведения о регистрации
ОКФС
Филиалы и представительства
ОКОГУ
ОКАТО
Реестр недобросовестных поставщиков
Рейтинг компании
Проверь себя и контрагента
Должная осмотрительность
Банковские лицензии
Скоринг контрагентов
Лицензии на алкоголь
Мониторинг СМИ
Признаки хозяйственной деятельности
Репутационные риски
Комплаенс
Компания НП СРО ДСО, адрес: г. Москва, ул. Большая Якиманка, д. 31 кв. 3 этаж пом. I ком. 22; 22А; 23; 23А; 24; 24А; 4 зарегистрирована 18.01.2010. Организации присвоены ИНН 7720286797, ОГРН 1107799001310, КПП 770601001. Основным видом деятельности является деятельность профессиональных членских организаций, всего зарегистрировано 2 вида деятельности по ОКВЭД. Связи с другими компаниями отсутствуют.
генеральный директор — Шевцова Ирина Анатольевна.
299₽
Купить Пример
999₽
Включен мониторинг изменений на год
Купить Пример
Бесплатно
Редактировать данные
СПАРК-Риски для 1С
Оценка надежности и мониторинг контрагентов
Узнать подробности
Вход в систему будет возможен только с IP-адреса, с которого подали заявку.
Компания
Телефон
Вышлем код подтверждения
Эл. почта
Вышлем ссылку для входа
Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с правилами использования и обработкой персональных данных
1. Lines, ME, Glass, AM Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials , (Clarendon Press, Oxford, 2004).
2. Учино, К. Сегнетоэлектрические устройства (Марсель Деккер, Нью-Йорк, 2000).
3. Скотт Дж.Ф. Применение современных сегнетоэлектриков. Наука. 2007; 315:954. doi: 10.1126/science.1129564. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
4. Setter N, et al. Сегнетоэлектрические тонкие пленки: обзор материалов, свойств и приложений. Дж. Заявл. физ. 2006;100:051606. дои: 10.1063/1.2336999. [CrossRef] [Google Scholar]
5. Martin LW, Rappe AM. Тонкопленочные сегнетоэлектрические материалы и их применение. Нац. Преподобный Матер. 2016;2:16087. doi: 10.1038/natrevmats.2016.87. [CrossRef] [Google Scholar]
6. Yao Z, et al. Гомогенные/неоднородные диэлектрики и их характеристики накопления энергии. Доп. Матер. 2017;29:1601727. doi: 10.1002/adma.201601727. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
7. Tong S, et al. Тонкие керамические пленки титаната цирконата лантана свинца для хранения энергии. Приложение ACS Матер. Интерфейсы. 2013;5:1474. дои: 10.1021/am302985у. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
8. Yang H, Yan F, Lin Y, Wang T, Wang F. Высокая плотность накопления энергии в широком диапазоне температур в бессвинцовой керамике на основе титаната натрия и висмута. науч. 2017;7:8726. doi: 10.1038/s41598-017-06966-7. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
9. Gao J, et al. Повышение диэлектрической проницаемости накопителей энергии за счет трикритического явления. науч. 2017;7:40916. doi: 10.1038/srep40916. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
10. Xu B, Íñiguez J, Bellaiche L. Разработка бессвинцовых антисегнетоэлектриков для хранения энергии. Нац. коммун. 2017;8:15682. doi: 10.1038/ncomms15682. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
11. Koruza J, et al. Требования к переводу бессвинцовой пьезокерамики в область применения. Дж. Материаломика. 2018;4:13–26. doi: 10.1016/j.jmat.2018.02.001. [CrossRef] [Google Scholar]
12. Acosta M, et al. Цитотоксичность, химическая стабильность и поверхностные свойства сегнетокерамики для биоматериалов. Варенье. Керам. соц. 2018;101:440. дои: 10.1111/jace.15193. [CrossRef] [Google Scholar]
13. Marino A, Battaglini M, De Pasquale D, DeglInnocenti A, Ciofani G. Активируемые ультразвуком пьезоэлектрические наночастицы ингибируют пролиферацию клеток рака молочной железы. науч. Отчет 2018; 8: 6257. doi: 10.1038/s41598-018-24697-1. [PMC free article] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
14. Перцев Н.А., Зембилготов А.Г., Таганцев А.К. Влияние механических граничных условий на фазовые диаграммы тонких эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленок. физ. Преподобный Летт. 1998;80:1988. doi: 10.1103/PhysRevLett.80.1988. [CrossRef] [Google Scholar]
15. Радхика Рао М.В., Умарджи А.М. Исследования теплового расширения сегнетоэлектрических материалов. Бык. Матер. науч. 1997;20:1023. doi: 10.1007/BF02744891. [CrossRef] [Google Scholar]
16. Malic B, et al. Линейное тепловое расширение бессвинцового пьезоэлектрика К 0,5 Na 0,5 NbO 3 Керамика в широком диапазоне температур. Варенье. Керам. соц. 2011;94:2275. doi: 10.1111/j.1551-2916.2011.04628.x. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
17. Линьи Д., Де, Рише П. Высокотемпературная теплоемкость и тепловое расширение перовскитов SrTiO 3 и SrZrO 3 . физ. Преподобный Б. 1996; 53:3013. doi: 10.1103/PhysRevB.53.3013. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
18. Hellwege, KH, Hellwege, AM (Eds) Landolt-Börnstein, Числовые данные и функциональные взаимосвязи в науке и технике, Новая серия, Группа III, Физика кристаллов и твердого тела, (Спрингер, Берлин, 1981).
19. Zhu J, et al. Индуцированное давлением реверсирование между тепловым сжатием и расширением в сегнетоэлектрике PbTiO 3 . науч. Отчет 2014; 4:3700. doi: 10.1038/srep03700. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
20. Biegalski MD, et al. Термическое расширение новых перовскитовых подложек DyScO 3 и GdScO 3 . Дж. Матер. Рез. 2005; 20:952. doi: 10.1557/JMR.2005.0126. [CrossRef] [Google Scholar]
21. Zhang L, et al. Непрерывная настройка эпитаксиальных деформаций за счет теплового несоответствия. АКС Нано. 2018;12:1306. doi: 10.1021/acsnano.7b07539. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
22. Acosta M, et al. BaTiO 3 Пьезоэлектрики на основе : основы, современное состояние и перспективы. заявл. физ. Ред. 2017; 4:041305. doi: 10.1063/1.49. [CrossRef] [Google Scholar]
23. Sun HP, Tian W, Pan XQ, Haeni JH, Schlom DG. Эволюция массивов дислокаций в эпитаксиальных тонких пленках BaTiO 3 , выращенных на (100) SrTiO 3 . заявл. физ. лат. 2004; 84:3298. doi: 10.1063/1.1728300. [CrossRef] [Google Scholar]
24. He JQ, Vasco E, Dittmann R, Wang RH. Динамика роста и механизмы релаксации деформации в BaTiO 3 импульсный лазер, нанесенный на SrRuO 3 /SrTiO 3 . физ. Ред. Б. 2006; 73:125413. doi: 10.1103/PhysRevB.73.125413. [CrossRef] [Google Scholar]
25. Широков В.Б., Юзюк Ю.И., Дхил Б., Леманов В.В. Феноменологическая теория фазовых переходов в эпитаксиальных тонких пленках BaTiO 3 . физ. Ред. Б. 2007; 75:224116. doi: 10.1103/PhysRevB.75.224116. [CrossRef] [Google Scholar]
26. Широков В.Б., Юзюк Ю.И., Дхил Б., Леманов В.В. Феноменологическое описание фазовых переходов в тонком BaTiO 3 Пленки. физ. Твердое состояние. 2008;50:928. doi: 10.1134/S106378340805020X. [CrossRef] [Google Scholar]
27. Dieguez O, et al. Ab initio изучение фазовой диаграммы эпитаксиального BaTiO 3 . физ. Ред. Б. 2004; 69:212101. doi: 10.1103/PhysRevB.69.212101. [CrossRef] [Google Scholar]
28. Эверхардт А.С., Матцен С., Доминго Н., Каталан Г., Ноэда Б. Сегнетоэлектрические доменные структуры в BaTiO с низкой деформацией 3 . Доп. Электрон. Матер. 2016;2:1500214. doi: 10.1002/aelm.201500214. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
29. Дамодаран А.Р., Брекенфельд Э., Чен З., Ли С., Мартин Л.В. Повышение сегнетоэлектрической температуры Кюри в пленках BaTiO 3 за счет выравнивания диполей дефектов, вызванных деформацией. Доп. Матер. 2014;26:6341. doi: 10.1002/adma.201400254. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]
30. Choi KJ, et al. Температуры фазовых переходов тонких пленок напряженного монокристалла SrRuO 3 . Доп. Матер. 2010;22:759. doi: 10.1002/adma.200902355. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]
31. Mahjoub R, Anbusathaiah V, Alpay SP, Nagarajan V. Сегнетоэластичные домены в двухслойных сегнетоэлектрических тонких пленках. Дж. Заявл. физ. 2008;104:124103. doi: 10.1063/1.3042222. [CrossRef] [Google Scholar]
32. Chen YB, et al. Структура интерфейса и релаксация деформации в тонких пленках BaTiO 3 , выращенных на подложках GdScO 3 и DyScO 3 с заглубленным когерентным слоем SrRuO 3 . заявл. физ. лат. 2007;91:252906. дои: 10.1063/1.2819684. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
33. Тюнина М., Плех М., Антонова М., Калване А. Сегнетоэлектрические переходы в эпитаксиальных пленках Pb 0,5 Sr 0,5 TiO 3 , изученные методом диэлектрического анализа. физ. Ред. Б. 2011; 84:224105. doi: 10.1103/PhysRevB.84.224105. [CrossRef] [Google Scholar]
34. Бойков Ю.А., Клаесон Т. Диэлектрическая реакция пленок Ba 0,05 Sr 0,95 TiO 3 (110) на изменение температуры и электрического поля. физ. Твердое состояние. 2015;57:957. doi: 10.1134/S1063783415050030. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
35. Скотт Дж. Ф. Сегнетоэлектрики сходят с ума. J. Phys.: Condens. Иметь значение. 2008;20:021001. [Google Scholar]
36. Зубко П., Юнг Д., Скотт Дж. Ф. Эффекты пространственного заряда в тонких сегнетоэлектрических пленках. Дж. Заявл. физ. 2006;100:114112. дои: 10.1063/1.2382459. [CrossRef] [Google Scholar]
37. Pintilie L, Vrejoiu I, Hesse D, LeRhun G, Alexe M. Зависимость ферроэлектрической поляризации от тока утечки в высококачественных эпитаксиальных пленках Pb(Zr,Ti)O 3 . физ. Ред. Б. 2007; 75:104103. doi: 10.1103/PhysRevB.75.104103. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]
38. Тюнина М., Левоска Дж. , Янолин П.Е., Дейнека А. Низкотемпературное релаксорное состояние, индуцированное эпитаксиальным сжатием в пленках PbSc 0,5 Nb 0,5 O 3 . физ. Ред. Б. 2013; 87:224107. doi: 10.1103/PhysRevB.87.224107. [CrossRef] [Google Scholar]
39. Тюнина М., Пинтилие И., Юга А., Стратулат М.С., Пинтилие Л. Фрустрация сегнетоэлектричества в эпитаксиальной пленке релаксорного сегнетоэлектрика PbSc 1/2 Nb 1/2 O 3 . J. Phys.: Condens. Иметь значение. 2014;26:325901. [PubMed] [Google Scholar]
40. Nguyen MD, Nguyen CTQ, Vu HN, Rijnders G. Управление микроструктурой и ростом пленки релаксорно-сегнетоэлектрических тонких пленок для обеспечения высокой прочности на пробой и сохранения энергии. Дж. Евр. Керам. соц. 2018;38:95. doi: 10.1016/j.jeurceramsoc.2017.08.027. [CrossRef] [Google Scholar]
41. Liu C, et al. Кинетика накопления энергии и переключения поляризации (001)-ориентированного Pb 0,97 La 0,0 (Zr 0,95 Ti 0,05 )O 3 толстые антисегнетоэлектрические пленки. заявл. физ. лат. 2016;108:112903. doi: 10.1063/1.4944645. [CrossRef] [Google Scholar]
42. Wang X, Zhang L, Hao X, An S, Song B. Диэлектрические свойства и характеристики накопления энергии (1−x)Pb(Mg 1/3 Nb 2 /3 )O 3 −xPbTiO 3 релаксорные сегнетоэлектрические тонкие пленки. Дж. Матер. наук: матер. Электрон. 2015;26:9583. [Google Scholar]
43. Li J, Shan Z, Ma E. Расчет упругих деформаций для получения беспрецедентных свойств материалов. Миссис Бык. 2014;39:108. doi: 10.1557/миссис 2014.3. [CrossRef] [Google Scholar]
ПРАГА, ЧЕХИЯ, 4 января 2019 г. /EINPresswire.com/ — Компания Starter Homes s.r.o., ведущий девелопер недвижимости в Центральной Европе, базирующаяся в Праге, сегодня объявила о планах для сбора средств через предложение цифровой безопасности DSO. Средства будут использованы для создания глобальной сети по аренде квартир «бизнес-класса» и станут надежным брендом goto по аренде квартир во всем мире, единым стандартам квартир и многоквартирных домов по всему миру.
Компания Starter Homes определила пробел и потребность в одном бренде, которому клиенты могут доверять, чтобы обеспечить одинаковый стандарт качества, дизайна и стиля квартир и многоквартирных домов по всему миру.
Сегодня такой торговой марки не существует.
Квартиры будут ориентированы на миллениалов и корпоративных клиентов.
Выпустив токен цифровой безопасности Starter Homes, который будет привязан к недвижимости, что позволит частично владеть недвижимостью, Starter Homes стремится предоставить всем, независимо от бюджета, возможность владения недвижимостью. Кроме того, DSO предоставит арендодателям возможность приобрести токены криптобезопасности Starter Homes.
Видение бизнес-модели должно быть самоисполняющимся пророчеством, в котором несколько раундов финансирования DSO будут привлекать капитал, который будет использоваться для покупки или строительства многоквартирных домов, которые впоследствии будут сдаваться в аренду, а доход будет использоваться для объединения с последующими раундами DSO для привлечения большего капитала. построить или купить больше многоквартирных домов для сдачи в аренду по всему миру, создавая всемирную сеть и портфолио недвижимости. Ожидается, что доход от аренды недвижимости в сочетании с приростом капитала портфеля недвижимости в сочетании с потенциалом роста окажет положительное влияние на стоимость токенов цифровой безопасности Starter Homes.
Starter Homes нацелена на привлечение инвесторов из традиционных фондов, фондов недвижимости, пенсионных фондов, венчурных капиталистов и частных лиц, независимо от их инвестиционной способности.
Starter Homes стремится вернуть, предоставляя приют уязвимым людям в рамках выполнения их социальной ответственности.
Чтобы узнать больше, посетите обзор Starter Homes www.starterhom.es и запросите информацию по адресу [email protected]
О Starter Homes
Starter Homes s.r.o. является ведущим девелопером недвижимости в Центральной Европе, основанным в Праге в 2003 году. Компания построила и продала около 100 объектов недвижимости и продолжает развивать девелоперскую часть бизнеса. Starter Homes рассматривает бизнес по аренде квартир как естественную эволюцию компании, которая может использовать существующие навыки и опыт в организации. www.starterhom.es
Эндрю Сильви
Starter Homes s.r.o.
+420 778 407 819
напишите нам сюда
Посетите нас в социальных сетях:
Facebook
Twitter
LinkedIn
Вы только что прочитали:
Каналы распространения: Банковское дело, финансы и инвестиции, строительство и строительство, бизнес и экономика, недвижимость и управление недвижимостью, индустрия путешествий и туризма
Приоритетом EIN Presswire является прозрачность источника. Мы не допускаем непрозрачных клиентов, и наши редакторы стараются тщательно отсеивать ложный и вводящий в заблуждение контент.
Как пользователь, если вы видите что-то, что мы пропустили, сообщите нам об этом. Ваша помощь приветствуется. EIN Presswire, Интернет-новости для всех, Presswire™,
пытается определить некоторые границы, разумные в современном мире.
Об авторе